산화와 확산

실리콘의 열산화가 일반적으로 이루어지는 온도 범위로 가장 가까운 것은?

  1. A약 100~200℃
  2. B약 800~1,200℃
  3. C약 2,000~3,000℃
정답과 해설 보기

정답: B. 약 800~1,200℃

실리콘의 열산화는 일반적으로 800~1,200 ℃ 정도에서 이루어지며, 온도가 높을수록 빠르게 진행됩니다. 실리콘의 녹는점은 약 1,414 ℃이므로 그보다 충분히 낮은 온도입니다. 상온에서도 실리콘 표면에는 1 nm 정도의 자연 산화막이 바로 생기지만 그 이상은 거의 성장하지 않습니다. 선단 공정에서는 열 예산을 줄이기 위해 라디칼 산화 등으로 더 낮은 온도에서 산화하는 경우도 늘고 있습니다.

  • A. 약 100~200℃에서는 실리콘의 산화가 거의 진행되지 않습니다.
  • B. 올바릅니다. 800~1,200℃ 정도에서 수행합니다.
  • C. 약 2,000℃ 이상은 실리콘의 녹는점을 넘어 버립니다.
이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

산화와 확산의 다른 문제

  1. 반도체 제조에서 말하는 불순물의 '확산'에 대한 설명으로 올바른 것은?
  2. 실리콘 열산화막의 대표적인 용도로 올바른 것은?
  3. 확산 계수 D의 단위로 올바른 것은?
  4. 픽의 제1법칙의 내용으로 올바른 것은? (J: 확산 플럭스, D: 확산 계수, C: 농도, x: 위치)
  5. 같은 온도에서 불순물을 확산시킬 때, 확산 시간을 4배로 하면 불순물이 퍼지는 대략의 거리는 몇 배가 됩니까?