Lithographie
Quelle caractéristique du masque utilisé en lithographie EUV est correcte ?
- AC'est un masque réflectif où le motif d'absorbeur est réalisé sur un miroir multicouche réfléchissant la lumière
- BC'est un masque transmissif où la lumière traverse le verre
- CAucun masque n'est utilisé
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Réponse : A. C'est un masque réflectif où le motif d'absorbeur est réalisé sur un miroir multicouche réfléchissant la lumière
La lumière EUV étant absorbée par presque toutes les matières, les masques transmissifs sont inutilisables. Le masque EUV est réflectif : sur un substrat en verre à faible dilatation thermique, on réalise un miroir multicouche d'environ 40 paires molybdène-silicium d'une période d'environ 7 nm (réflectivité d'environ 65 %), sur lequel le motif est formé par un absorbeur à base de tantale notamment. La lumière arrive avec une inclinaison d'environ 6°, et la lumière réfléchie est envoyée vers l'optique de projection. Réduire les défauts du multicouche est un défi majeur de fabrication.