Welcher Verkleinerungsfaktor bei der Projektion des Maskenmusters auf den Wafer ist bei heutigen Belichtungsanlagen (Scannern) üblich?

Antwort: B. 1/4

Bei heutigen Belichtungsanlagen wird das Maskenmuster üblicherweise auf 1/4 verkleinert auf den Wafer projiziert. Da die Strukturen auf der Maske viermal so groß wie auf dem Wafer sein dürfen, lässt sich die Maske leicht herstellen, und kleine Defekte und Maßfehler auf der Maske schrumpfen auf 1/4 und wirken sich weniger aus. Standard ist eine 6 Zoll große (152 mm) quadratische Quarzplatte, in der das Vierfache eines Shots von 26×33 mm Platz findet. Bei High-NA EUV werden je nach Richtung 1/4 und 1/8 kombiniert.