Pourquoi implante-t-on souvent l'aluminium, etc. dans le SiC en chauffant le wafer à plusieurs centaines de °C (implantation à chaud) ?

Réponse : B. Pour guérir les dommages pendant l'implantation et éviter les dommages difficiles à réparer comme l'amorphisation

Une implantation à forte dose dans le SiC à température ambiante laisse facilement des dommages difficiles à réparer comme l'amorphisation ; de plus, les impuretés ne diffusant presque pas dans le SiC, le profil créé par l'implantation est utilisé tel quel. En implantant avec un wafer chauffé à environ 300 à 600 °C, une partie des dommages se répare pendant l'implantation, et le recuit d'activation ultérieur à 1 600 à 1 800 °C donne un cristal de bonne qualité et un taux d'activation élevé. On utilise comme masque du SiO2 notamment, qui résiste aux hautes températures.