SiCにアルミニウムなどをイオン注入するとき、ウエハを数百℃に加熱しながら注入する(高温注入)ことが多い理由はどれか。

正解：B. 注入中に損傷を回復させ、アモルファス化などの回復しにくい損傷を防ぐため

SiCは室温で高ドーズの注入を行うと、アモルファス化などの回復しにくい損傷が残りやすくなります。ウエハを数百℃に加熱しながら注入すると、注入中に損傷の一部が回復し、その後の1,600℃以上の活性化アニールで良好な結晶と高い活性化率が得られやすくなります。

• A. 数百℃でSiCは溶けません。
• B. 正しい。注入中に損傷を回復させるためです。
• C. 加熱してもイオンの質量は変わりません。