離子佈植
將鋁等離子佈植到SiC時，常在將晶圓加熱至數百℃的狀態下佈植（高溫佈植），其理由為下列何者？
- A為了使晶圓熔化
- B為了在佈植過程中修復損傷，防止非晶化等難以恢復的損傷
- C為了使離子變重
查看答案與解析
正確答案：B. 為了在佈植過程中修復損傷，防止非晶化等難以恢復的損傷
SiC若在室溫下進行高劑量佈植，容易殘留非晶化等難以恢復的損傷，而且在SiC中雜質幾乎不擴散，因此佈植形成的分布會直接被使用。若在將晶圓加熱至300～600 ℃左右的狀態下佈植，佈植過程中一部分損傷便會恢復，之後經1,600～1,800 ℃的活化退火，可得到良好的晶體與高活化率。作為耐高溫的遮罩，會使用SiO2等。
- A. 數百℃時SiC不會熔化。
- B. 正確。是為了在佈植過程中修復損傷。
- C. 加熱並不會改變離子的質量。