Warum wird bei der Ionenimplantation von Aluminium o. Ä. in SiC häufig bei einer Erwärmung des Wafers auf einige hundert ℃ implantiert (Hochtemperaturimplantation)?

Antwort: B. Um Schäden bereits während der Implantation auszuheilen und schwer heilbare Schäden wie Amorphisierung zu verhindern

Bei Implantation mit hoher Dosis bei Raumtemperatur bleiben in SiC leicht schwer heilbare Schäden wie Amorphisierung zurück, und da Dotierstoffe in SiC kaum diffundieren, wird die durch die Implantation erzeugte Verteilung unverändert genutzt. Wird der Wafer während der Implantation auf etwa 300 bis 600 ℃ erwärmt, heilt ein Teil der Schäden bereits währenddessen aus, und beim anschließenden Aktivierungsausheilen bei 1,600 bis 1,800 ℃ werden ein guter Kristall und eine hohe Aktivierungsrate erreicht. Als hochtemperaturbeständige Maske wird z. B. SiO2 verwendet.