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Implantation ionique

Quelle combinaison d'impuretés implantées dans le silicium et de type de conductivité est correcte ?

  1. APhosphore : type p ; arsenic : type p
  2. BBore : type n ; phosphore : type p
  3. CBore : type p ; phosphore et arsenic : type n
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Réponse : C. Bore : type p ; phosphore et arsenic : type n

Le bore (groupe III) crée un type p en tant qu'accepteur, et le phosphore et l'arsenic (groupe V) un type n en tant que donneurs. On utilise aussi parfois l'antimoine pour le type n, et l'indium ou le gallium pour le type p. L'implantation ionique introduit la quantité nécessaire de ces éléments à l'endroit voulu, réalisant pour les nMOS une source et un drain n et un caisson p, et l'inverse pour les pMOS, afin de constituer le CMOS.

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