Implantation ionique
Lors d'une implantation dans le silicium à énergie d'accélération égale, quelle est la relation correcte entre les parcours de l'arsenic (nombre de masse 75) et du phosphore (nombre de masse 31) ?
- AL'arsenic pénètre plus profondément
- BLes deux pénètrent à la même profondeur
- CL'arsenic, plus lourd, s'arrête moins profondément
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Réponse : C. L'arsenic, plus lourd, s'arrête moins profondément
À énergie égale, plus un ion est lourd, plus il perd d'énergie par collision et plus il est lent, si bien qu'il s'arrête moins profondément. Par exemple, à 50 keV, le Rp du phosphore (masse 31) est d'environ 60 nm, contre environ 30 nm pour l'arsenic (masse 75). L'arsenic, au parcours court, au profil abrupt et à la diffusion lente, convient aux source et drain peu profonds des nMOS. Le phosphore sert aux caissons profonds et aux couches que l'on veut profondes sans recourir à la haute énergie.