Comment appelle-t-on les défauts qui subsistent, après recristallisation d'une couche amorphisée, légèrement plus en profondeur que l'ancienne interface entre couche amorphe et cristal ?

Réponse : A. Défauts EOR (End of Range)

Juste sous la couche amorphisée, côté cristal, s'accumule le silicium interstitiel en excès déplacé par l'implantation. Même si la couche amorphe supérieure recristallise lors du recuit, ce silicium interstitiel peut s'agréger à cet endroit et laisser des défauts comme des boucles de dislocation, appelés défauts EOR (End of Range). S'ils se trouvent dans la zone de déplétion de la jonction, ils provoquent des courants de fuite ; on ajuste donc la position relative de la couche amorphe et de la jonction par les conditions d'implantation et de recuit.