Ionenimplantation
Welche Methode sorgt bei der Ionenimplantation für eine gleichmäßige Dosis über die Waferfläche?
- ADen Strahl fest auf einen Punkt richten
- BStrahl oder Wafer scannen und die gesamte Waferfläche gleichmäßig bestrahlen
- CDen Wafer dauerhaft erhitzen
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Antwort: B. Strahl oder Wafer scannen und die gesamte Waferfläche gleichmäßig bestrahlen
Da der Ionenstrahl kleiner als der Wafer ist, wird der gesamte Wafer beim Implantieren gescannt, indem der Strahl durch elektrische oder magnetische Felder seitlich ausgelenkt, der Wafer mechanisch bewegt oder der Strahl bandförmig aufgeweitet und der Wafer in einer Richtung bewegt wird. Durch Korrektur der Scangeschwindigkeit je nach Position und Rückkopplung aus der Messung der Strahlverteilung mit Faraday-Bechern wird die Dosisschwankung über den Wafer auf etwa 0.5 % oder weniger begrenzt.