Implantation ionique
Quel est un exemple correct d'application de l'implantation ionique haute énergie, atteignant plusieurs MeV ?
- ALa formation de jonctions de surface très peu profondes
- BL'introduction d'impuretés en profondeur dans les capteurs d'image, les composants de puissance, etc.
- CLa formation des interconnexions métalliques
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Réponse : B. L'introduction d'impuretés en profondeur dans les capteurs d'image, les composants de puissance, etc.
L'implantation ionique haute énergie permet d'introduire des impuretés à une profondeur de quelques µm à environ 10 µm sous la surface. Elle sert aux photodiodes profondes et à l'isolation entre pixels des capteurs d'image CMOS, aux couches profondes des composants de puissance (colonnes de superjonction, etc.) et à la formation de caissons rétrogrades. Pour atteindre plusieurs MeV, on utilise des accélérateurs linéaires (LINAC) à plusieurs étages haute fréquence ou des accélérateurs tandem utilisant des ions négatifs.