이온 주입

프리 비정질화 주입(PAI)의 목적으로 올바른 것은 무엇인가?

  1. A웨이퍼 표면에 두꺼운 산화막을 만든다
  2. BGe 등을 주입해 표면을 비정질화하여, 이후 주입의 채널링을 억제하고 얕은 접합을 얻는다
  3. C금속 오염을 제거한다
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정답: B. Ge 등을 주입해 표면을 비정질화하여, 이후 주입의 채널링을 억제하고 얕은 접합을 얻는다

게르마늄이나 실리콘 같은 무거운 이온을 먼저 주입하여 표면을 수십 nm 깊이까지 비정질로 만들어 두면, 원자 배열이 사라지기 때문에 이후에 주입하는 붕소 등의 채널링이 억제되어 얕은 접합을 만들 수 있습니다. 비정질층은 어닐링 시 아래의 결정으로부터 고상 에피택셜 성장으로 재결정화되며, 이때 불순물을 격자 위치로 받아들여 높은 활성화를 얻는 이점도 있습니다. 경계에는 EOR 결함이 남을 수 있습니다.

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