Ionenimplantation

Was ist der Zweck der Voramorphisierungsimplantation (PAI)?

  1. AAuf der Waferoberfläche einen dicken Oxidfilm zu erzeugen
  2. BDurch Implantation von Ge o. Ä. die Oberfläche zu amorphisieren, das Channeling der nachfolgenden Implantation zu unterdrücken und einen flachen Übergang zu erhalten
  3. CMetallische Kontamination zu entfernen
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Antwort: B. Durch Implantation von Ge o. Ä. die Oberfläche zu amorphisieren, das Channeling der nachfolgenden Implantation zu unterdrücken und einen flachen Übergang zu erhalten

Wird die Oberfläche zuerst durch Implantation schwerer Ionen wie Germanium oder Silizium bis in einige zehn nm Tiefe amorph gemacht, ist keine Atomanordnung mehr vorhanden, sodass das Channeling von später implantiertem Bor u. Ä. unterdrückt und flache Übergänge erzeugt werden. Die amorphe Schicht rekristallisiert beim Ausheilen durch Festphasen-Epitaxie vom darunterliegenden Kristall, wobei die Dotierstoffe auf Gitterplätze eingebaut werden und hohe Aktivierung entsteht. An der Grenze können EOR-Defekte zurückbleiben.

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