離子佈植
預非晶化佈植（PAI）的目的，下列何者正確？
- A在晶圓表面形成厚的氧化膜
- B佈植Ge等使表面非晶化，抑制其後佈植的通道效應而得到淺接面
- C去除金屬污染
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正確答案：B. 佈植Ge等使表面非晶化，抑制其後佈植的通道效應而得到淺接面
若先佈植鍺或矽等重離子，使表面至數十nm的深度成為非晶，由於原子排列消失，其後佈植之硼等的通道效應便受到抑制，可形成淺接面。非晶層在退火時會由下方的晶體以固相磊晶成長而再結晶，此時雜質會被納入晶格位置，具有可獲得高活化率的優點。交界處有時會殘留EOR缺陷。