Quelle méthode permet de réaliser des jonctions peu profondes pour la source et le drain de transistors miniaturisés ?

Réponse : C. Implanter à basse énergie et effectuer un recuit de très courte durée (recuit spike, recuit laser, etc.)

Pour réaliser une jonction peu profonde, on implante d'abord superficiellement à basse énergie, par exemple 1 keV ou moins. Ensuite, pour éviter que la diffusion des impuretés pendant le recuit n'approfondisse la jonction, on utilise le recuit spike, qui redescend immédiatement sans palier à la température maximale (environ 1050 °C, moins d'une seconde), ou les recuits flash et laser qui ne chauffent que la surface pendant une milliseconde ou moins, afin d'activer tout en limitant la diffusion à quelques nm. On y combine aussi la co-implantation et la pré-amorphisation.