Procédés d'interconnexion

Quelle est approximativement la résistance d'une interconnexion de résistivité 2 µΩ·cm, de 1 mm de long, avec une largeur et une épaisseur de 100 nm chacune ?

  1. AEnviron 2 Ω
  2. BEnviron 2 kΩ
  3. CEnviron 2 MΩ
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. Environ 2 kΩ

La résistance vaut R = ρL/(W × T) ; avec ρ = 2×10⁻⁸ Ω·m, L = 1×10⁻³ m et W × T = 1×10⁻¹⁴ m², on obtient R = 2000 Ω (environ 2 kΩ). Même sur une courte distance de 1 mm, une interconnexion de section 100 nm × 100 nm présente une résistance aussi élevée, et combinée à sa capacité (environ 0,2 pF pour 1 mm), le délai RC atteint plusieurs centaines de ps. C'est pourquoi les longues liaisons utilisent les interconnexions épaisses des couches supérieures ou des répéteurs.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Procédés d'interconnexion

  1. Quel est l'emplacement où les voids dus à l'électromigration se forment le plus facilement ?
  2. Dans les LSI miniaturisés, quelle est la tendance du délai d'interconnexion par rapport au délai des portes ?
  3. Quel problème faut-il surveiller lors de la gravure ou du décapage (ashing) des films low-k ?
  4. Comment appelle-t-on le claquage diélectrique dépendant du temps de l'isolant entre interconnexions, dont l'importance croît avec la réduction de l'espacement ?
  5. Quel est le rôle principal des interconnexions dans un LSI ?