Welche Aufgabe hat die per Sputtern dünn gebildete Cu-Schicht vor dem Füllen mit Cu per Galvanik?

Antwort: B. Leitschicht für den Galvanikstrom (Seed-Schicht)

Bei der Galvanik wird auf der Waferoberfläche Strom geleitet, damit Cu-Ionen reduziert und abgeschieden werden, daher ist eine durchgehende Leitschicht bis in das Innere der Gräben nötig. Die Barriereschicht (TaN/Ta) ist hochohmig, und die Galvanik würde nicht gleichmäßig beginnen; deshalb wird darauf per Sputtern eine dünne Cu-Seed-Schicht von einigen zehn nm Dicke gebildet und danach Cu per Galvanik gefüllt. In feinen Gräben ist es schwierig, eine so dünne Seed-Schicht, die die Öffnung nicht verschließt, mit einer bis zum Grund unterbrechungsfreien Kontinuität zu vereinen; auch Ruthenium-Liner werden eingesetzt.