Procédés d'interconnexion
Quel est l'emplacement où les voids dus à l'électromigration se forment le plus facilement ?
- ALes endroits où le flux d'atomes métalliques est discontinu, comme la frontière entre via et interconnexion
- BLe milieu d'une interconnexion non parcourue par un courant
- CLe substrat de boîtier hors de la puce
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Réponse : A. Les endroits où le flux d'atomes métalliques est discontinu, comme la frontière entre via et interconnexion
Dans l'électromigration, les atomes sont déplacés, poussés par le flux d'électrons (force du vent électronique). Aux endroits où le flux d'atomes s'interrompt, comme la frontière entre via et interconnexion ou la barrière sous le via, les atomes quittent le côté amont sans être remplacés, d'où la formation de voids, tandis que côté aval les atomes s'accumulent et forment des hillocks (protubérances). En conception, on place des vias redondants, on élargit l'interconnexion autour des vias ou l'on tient compte du sens du courant.
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