Moderne Transistoren (FinFET, GAA)

Welche Technik deckt das Gate mit einem Isolator ab, sodass auch bei etwas versetzter Kontaktposition kein Kurzschluss zum Gate entsteht?

  1. ALDD
  2. BTSV
  3. CSelbstjustierter Kontakt (SAC)
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Antwort: C. Selbstjustierter Kontakt (SAC)

Wird die Ober- und Seitenfläche des Gates mit einem Nitrid o. Ä. abgedeckt, stoppt die Kontaktätzung auch bei einem Versatz zur Gate-Position am Isolator, da Nitrid schwerer geätzt wird als Oxid, und erreicht das Gate nicht. Durch diesen selbstjustierten Kontakt entfällt der Randabstand für Justierfehler, und der Abstand zwischen Gate und Kontakt kann verringert werden. Dies führt weiter zu Techniken zur Verkleinerung der Zellfläche wie COAG, bei dem der Kontakt direkt über dem Gate liegt.

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