첨단 트랜지스터(FinFET과 GAA)

게이트를 절연막으로 덮어 두어 컨택트의 위치가 다소 어긋나도 게이트와 단락되지 않게 하는 기술은?

  1. ALDD
  2. BTSV
  3. C자기 정렬 컨택트(SAC)
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정답: C. 자기 정렬 컨택트(SAC)

게이트의 윗면과 측면을 질화막 등으로 덮어 두면, 컨택트 식각이 게이트 위치로 어긋나더라도 질화막은 산화막보다 식각되기 어려워 절연막에서 멈추고 게이트에 닿지 않습니다. 이 자기 정렬 컨택트 덕분에 위치 정렬 오차를 고려한 여백이 필요 없어져 게이트와 컨택트의 간격을 좁힐 수 있습니다. 나아가 게이트 바로 위에 컨택트를 두는 COAG 등 셀 면적을 줄이는 기술로 이어지고 있습니다.

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