Couche formée à la surface du semi-conducteur par la tension de grille, où s'accumulent des porteurs de type opposé au type d'origine. Elle constitue le canal du MOSFET.
Nom japonais: 反転層
« Couche d'inversion » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Transistors avancés (FinFET et GAA).
Domaine: MOSFET
Réponse : A. L'épaisseur d'un diélectrique de grille, high-k ou autre, convertie en épaisseur de SiO2 donnant la même capacité de grille
L'EOT est l'épaisseur que devrait avoir un film de SiO2 (permittivité relative 3,9) pour obtenir la même capacité que le diélectrique de grille : EOT = épaisseur physique × 3,9/ε. Avec un high-k de permittivité relative 20, une épaisseur physique d'environ 5 nm correspond à une EOT de 1 nm. L'EOT des produits avancés est d'environ 0,8 à 1 nm, couche interfaciale comprise. L'épaisseur électrique réelle inclut en outre une contribution due notamment aux effets quantiques de la couche d'inversion, si bien que la valeur mesurée (CET) est légèrement supérieure à l'EOT.
L'épaisseur électrique réelle inclut en outre une contribution due notamment aux effets quantiques de la couche d'inversion, si bien que la valeur mesurée (CET) est légèrement supérieure à l'EOT.
Quelle est la définition de l'EOT (épaisseur d'oxyde équiva…EOT (épaisseur d'oxyde équivalente) CMOS Courant de court-circuit transitoire DIBL Effet de canal court Effet de substrat GIDL (fuite de drain induite par la grille) Modulation de longueur de canal Pente sous le seuil (subthreshold swing) Perçage (punch-through)