Quel est l'objectif principal des techniques appliquant une contrainte au canal du transistor ?

Réponse : B. Augmenter la mobilité des porteurs et le courant de conduction

Une contrainte appliquée au cristal de silicium modifie la structure de bandes, réduit la masse effective et la diffusion des porteurs et améliore la mobilité. Une contrainte en tension dans le sens du courant est efficace pour les nMOS et une contrainte en compression pour les pMOS ; on utilise notamment du SiGe incorporé dans les sources/drains des pMOS et un recouvrement des nMOS par un nitrure en tension. Introduite au nœud 90 nm (vers 2003), elle est devenue, avec la miniaturisation, un pilier de l'amélioration des performances.