Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Wat is het belangrijkste doel van het aanbrengen van spanning (stress) op het kanaal van een transistor?

  1. ADe drempelspanning op 0 V brengen
  2. BDe mobiliteit van ladingdragers verhogen en de aandrijfstroom vergroten
  3. CDe gatecapaciteit verkleinen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De mobiliteit van ladingdragers verhogen en de aandrijfstroom vergroten

Wanneer spanning op het siliciumkristal wordt aangebracht, verandert de bandstructuur, nemen effectieve massa en verstrooiing van ladingdragers af en verbetert de mobiliteit. Trekspanning in de stroomrichting is effectief voor nMOS en drukspanning voor pMOS; bij pMOS wordt SiGe in source en drain ingebed en bij nMOS wordt bijvoorbeeld bedekt met een nitridefilm met trekspanning. De methode werd ingevoerd vanaf de 90 nm-generatie (circa 2003) en werd naast verkleining een pijler van prestatieverbetering.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke uitspraak over EOT (equivalente oxidedikte) is juist?
  2. Welke uitspraak over de SOI-structuur (Silicon On Insulator) is juist?
  3. Welke uitspraak over DIBL (Drain Induced Barrier Lowering) is juist?
  4. Welke uitspraak over de manier om de effectieve kanaalbreedte van een FinFET in te stellen is juist?
  5. Welke uitspraak over de kenmerken van de CFET (Complementary FET), die als structuur na GAA wordt onderzocht, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp