關於以氫氧化鉀（KOH）水溶液對矽進行濕式蝕刻的特徵，下列何者正確？

正確答案：A. 蝕刻速率因晶面而有很大差異，(111)面非常慢，因此會形成具有斜面的V字形溝槽等

KOH等鹼性溶液對矽(111)面的蝕刻速度僅約為(100)面的百分之一，因此在(100)晶圓上會出現(111)面，形成具有約54.7°斜面的V字形溝槽或金字塔形的孔。利用這種由晶體方位造成的非等向性，可以製作MEMS壓力感測器的薄膜、噴墨的噴嘴，以及太陽能電池表面用來侷限光線的凹凸（紋理）等。