Epitaxie

Welcher Wert kommt der üblichen Wachstumstemperatur beim epitaktischen Wachstum von SiC (CVD) am nächsten?

  1. Aetwa 600 °C
  2. Betwa 1.000 °C
  3. Cetwa 1.500 bis 1.650 °C
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: C. etwa 1.500 bis 1.650 °C

Da SiC starke Bindungen hat und Oberflächenatome sich schwer bewegen, sind für gute Epischichten Temperaturen von etwa 1.500 bis 1.650 °C erforderlich, rund 500 °C mehr als bei Silizium. Als Ausgangsstoffe dienen Silan oder Trichlorsilan und Kohlenwasserstoffe wie Propan, wobei der Einbau von Verunreinigungen über das C/Si-Verhältnis gesteuert wird. Um diese Temperatur auszuhalten, wird für die Reaktorbauteile mit SiC oder TaC beschichteter Graphit verwendet.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Epitaxie

  1. Welcher Reaktortyp ist beim Silizium-Epitaxiewachstum auf 300-mm-Wafern vorherrschend?
  2. Was ist der Zweck einer „graduierten Pufferschicht“ (Graded Buffer), bei der beim heteroepitaktischen Wachstum von Materialien mit stark abweichender Gitterkonstante eine Schicht mit allmählich veränderter Zusammensetzung eingefügt wird?
  3. Was bedeutet eine geringe Halbwertsbreite des Peaks in der Röntgenbeugungs-Rocking-Kurve zur Bewertung der Kristallqualität von Epischichten?
  4. Was bedeutet das beim GaN-Wachstum mit MOCVD als Bedingung kontrollierte „V/III-Verhältnis“?
  5. Wie heißt das Phänomen, bei dem beim Wachstum einer niedrig dotierten Epischicht auf einem hochdotierten Substrat bei hoher Temperatur Dotierstoffe des Substrats durch Festkörperdiffusion in die Epischicht eindringen und der Konzentrationsverlauf an der Grenzfläche flacher wird?