Quel est l'objectif principal d'une couche fortement dopée (couche enterrée) placée sous la couche épitaxiale, notamment dans les transistors bipolaires ?

Réponse : A. Réduire la résistance série du collecteur

Dans un transistor bipolaire vertical, le courant de collecteur circule latéralement au fond de la couche épitaxiale vers l'électrode de collecteur en surface. En formant avant l'épitaxie une couche n⁺ fortement dopée à l'arsenic ou à l'antimoine enterrée dans le substrat, la résistance de ce chemin diminue, ce qui améliore la tension de saturation et les performances haute fréquence. L'arsenic et l'antimoine, qui diffusent peu, sont utilisés pour limiter la remontée due à la chaleur pendant l'épitaxie.