Français
Menu

Croissance épitaxiale

Que signifie le « rapport V/III », paramètre contrôlé lors de la croissance de GaN par MOCVD ?

  1. ALe rapport entre l'épaisseur et la durée de croissance
  2. BLe rapport molaire entre le précurseur d'élément V fourni (ammoniac, etc.) et le précurseur d'élément III (organogallium, etc.)
  3. CLe rapport entre la température et la pression de croissance
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. Le rapport molaire entre le précurseur d'élément V fourni (ammoniac, etc.) et le précurseur d'élément III (organogallium, etc.)

Le rapport V/III est le rapport entre les quantités de précurseurs d'éléments V et d'éléments III injectées dans le réacteur. Pour la croissance du GaN, l'ammoniac se décomposant mal et l'azote s'échappant facilement à haute température, ce rapport est très élevé, de quelques centaines à quelques milliers. Il influe sur la planéité de surface, l'équilibre entre vitesses de croissance latérale et verticale, l'incorporation d'impuretés comme le carbone et la quantité de défauts ponctuels ; c'est un paramètre important.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Croissance épitaxiale

  1. Lors de la croissance à haute température d'une couche épitaxiale faiblement dopée sur un substrat fortement dopé, comment appelle-t-on le phénomène par lequel les dopants du substrat migrent par diffusion à l'état solide vers la couche épitaxiale, adoucissant la transition de concentration à l'interface ?
  2. Quelle technique, développée par Isamu Akasaki, Hiroshi Amano et leurs collaborateurs pour faire croître du GaN de haute qualité sur saphir, consiste à déposer d'abord une fine couche à basse température avant de faire croître le GaN à haute température ?
  3. Quel mode de croissance, observé dans les systèmes à désaccord de maille, commence par une croissance couche par couche sur quelques couches atomiques puis passe à une croissance en îlots lorsque la contrainte s'accumule ? Il est aussi utilisé pour fabriquer des boîtes quantiques.
  4. Lors de la croissance épitaxiale de silicium sur un substrat comportant des motifs (couches enterrées, etc.), comment appelle-t-on le phénomène par lequel les marches apparaissant en surface sont décalées par rapport au motif sous-jacent ou déformées ?
  5. Quel est l'objectif principal de l'incorporation par épitaxie de Si:C, silicium additionné d'un peu de carbone, dans les sources/drains des nMOS ?