Croissance épitaxiale
Quel ordre de grandeur est le plus proche de la densité de dislocations traversantes atteignant la surface dans du GaN crû sur substrat saphir ?
- AEnviron 10²⁰ cm⁻²
- BEnviron 10¹ à 10² cm⁻²
- CEnviron 10⁸ à 10⁹ cm⁻²
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Réponse : C. Environ 10⁸ à 10⁹ cm⁻²
Le saphir et le GaN présentant un désaccord de maille d'environ 16 %, le GaN sur saphir contient une forte densité de dislocations traversantes, de l'ordre de 10⁸ à 10⁹ cm⁻². Cette quantité serait rédhibitoire pour un LSI silicium, et pourtant les LED InGaN émettent avec un rendement élevé. On l'attribue aux fluctuations de composition de la couche InGaN, qui confinent localement les porteurs et les font se recombiner avant d'atteindre les dislocations. Pour les lasers et composants de puissance, en revanche, la réduction des dislocations est importante.