Français
Menu

Croissance épitaxiale

Quel est le rôle principal de l'hydrogène (H2) injecté en grande quantité avec le gaz précurseur lors de la croissance épitaxiale du silicium ?

  1. AC'est le précurseur de silicium lui-même
  2. BC'est un dopant de type n
  3. CC'est le gaz vecteur qui transporte le précurseur et crée une atmosphère réductrice maintenant la surface propre
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : C. C'est le gaz vecteur qui transporte le précurseur et crée une atmosphère réductrice maintenant la surface propre

En épitaxie du silicium, le précurseur, par exemple le trichlorosilane, est dilué dans une grande quantité d'hydrogène et envoyé dans le réacteur. L'hydrogène joue le rôle de gaz vecteur transportant le précurseur, participe à la réaction comme réducteur, empêche l'oxydation de la surface grâce à l'atmosphère réductrice et évacue le chlore produit sous forme de chlorure d'hydrogène. Il passive également les liaisons pendantes des atomes de silicium de surface et maintient ainsi un état propre.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Croissance épitaxiale

  1. Quelle méthode est utilisée pour faire croître rapidement des couches épaisses de GaN afin de fabriquer des substrats GaN autoportants ?
  2. Quel ordre de grandeur est le plus proche de la densité de dislocations traversantes atteignant la surface dans du GaN crû sur substrat saphir ?
  3. Quel est l'objectif principal d'une couche fortement dopée (couche enterrée) placée sous la couche épitaxiale, notamment dans les transistors bipolaires ?
  4. Quelle valeur est la plus proche de la température de croissance usuelle de l'épitaxie du SiC (CVD) ?
  5. Quel type de réacteur domine pour la croissance épitaxiale du silicium sur plaquettes de 300 mm ?