Epitaxie

Welche Methode beobachtet bei MBE das Wachstum in situ, indem ein Elektronenstrahl unter flachem Winkel auf die wachsende Oberfläche gerichtet und das Beugungsbild ausgewertet wird?

  1. ASIMS
  2. BRHEED (Beugung hochenergetischer Elektronen in Reflexion)
  3. CXPS
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: B. RHEED (Beugung hochenergetischer Elektronen in Reflexion)

Bei RHEED wird ein Elektronenstrahl von 10 bis 30 keV unter einem streifenden Winkel von etwa 1 bis 3° auf die wachsende Oberfläche gerichtet und das Beugungsmuster auf einem Leuchtschirm beobachtet. Daraus erkennt man die Ebenheit der Oberfläche und Rekonstruktionen; bei lagenweisem Wachstum ändert sich die Rauheit der Oberfläche periodisch, und die Intensität oszilliert, sodass sich die Zahl der aufgewachsenen Lagen in situ zählen lässt. Es ist eine Beobachtungsmethode, die der MBE im Ultrahochvakuum eigen ist, wo Elektronenstrahlen nicht von Gasmolekülen gestreut werden.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Epitaxie

  1. Welche Aussage zur Herkunft des Wortes „Epitaxie“ (epitaxy) ist richtig?
  2. Welcher Bereich ist die übliche Dicke der Epischicht bei Silizium-Epiwafern für LSIs und Leistungsbauelemente?
  3. Welche Hauptrolle hat der in großer Menge zusammen mit den Prozessgasen zugeführte Wasserstoff (H2) beim epitaktischen Wachstum von Silizium?
  4. Welches Verfahren wird zum schnellen Wachstum dicker GaN-Schichten für freistehende GaN-Substrate verwendet?
  5. Welcher Wert kommt der Dichte der bis zur Schichtoberfläche durchstoßenden Versetzungen in auf Saphirsubstraten gewachsenem GaN am nächsten?