Qu'est-ce que TRIM ?

Commande par laquelle le système d'exploitation signale au SSD les zones des fichiers supprimés. Le SSD connaissant les données devenues inutiles, l'efficacité du ramasse-miettes (garbage collection) s'améliore.

Nom japonais: TRIM

« TRIM » apparaît dans 6 questions d'entraînement réparties sur 5 thèmes, dont SRAM et mémoire flash, Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques), Croissance épitaxiale.

Domaine: SRAM et mémoire flash

S'entraîner : questions sur TRIM

Quelle précaution de manipulation des composés organométalliques comme le triméthylgallium (TMGa), précurseurs de la MOCVD, est correcte ?

  1. ANi toxiques ni réactifs, ils se manipulent sans danger
  2. BIls émettent un fort rayonnement
  3. CIls réagissent violemment avec l'air et l'eau et risquent de s'enflammer spontanément
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Réponse : C. Ils réagissent violemment avec l'air et l'eau et risquent de s'enflammer spontanément

Les composés organométalliques comme le triméthylgallium ou le triméthylaluminium s'enflamment spontanément à l'air et réagissent violemment avec l'eau. On les place dans un récipient à température constante appelé bulleur, et l'on y fait passer de l'hydrogène ou de l'azote pour entraîner la vapeur. La pression de vapeur étant fixée par la température, le débit délivré se contrôle par la température du récipient et le débit de gaz. Ils n'émettent pas de rayonnement et ne se manipulent pas sans danger. Ils servent à la MOCVD du GaN et du GaAs.

« TRIM » dans les explications

Questions mentionnant « TRIM » (6)

  1. Quelle précaution de manipulation des composés organométalliques comme le triméthylgallium (TMGa), précurseurs de la MOCVD, est correcte ?
  2. Quelle commande permet à l'OS de signaler au SSD les zones des fichiers supprimés, afin de rendre le ramasse-miettes plus efficace ?
  3. Quelle description de l'« amplification d'écriture » (write amplification) des SSD est correcte ?
  4. À quoi sert principalement la MOCVD (épitaxie en phase vapeur aux organométalliques) ?
  5. En ALD, comment appelle-t-on la plage de températures dans laquelle l'épaisseur par cycle est constante grâce aux réactions de surface autolimitées ?
  6. Quel est le principal objectif du traitement de la surface du wafer par HMDS notamment avant l'enduction de la résine ?

Termes associés

MOCVD (épitaxie en phase vapeur aux organométalliques) GaN (nitrure de gallium) Ramasse-miettes (garbage collection) Amplification d'écriture (write amplification) Débit (throughput) GaAs (arséniure de gallium) NVMe ALD CVD MOL (middle-of-line)

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