Schichtabscheidung (CVD, PVD)

Welches Prozessgas wird bei der Abscheidung von Polysiliziumschichten mittels LPCVD üblicherweise verwendet?

  1. AArgon
  2. BSilan (SiH4)
  3. CKohlendioxid
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Antwort: B. Silan (SiH4)

Polysilizium wird durch thermische Zersetzung von Silan bei etwa 600 bis 650 °C abgeschieden (SiH4 → Si + 2H2). Die Korngröße hängt von der Abscheidetemperatur ab; unterhalb von etwa 580 °C entsteht amorphes Silizium. Polysilizium wird für Gate-Elektroden (vor High-k), Widerstände, Elektroden von DRAM und Flash sowie MEMS-Strukturen verwendet; zur Senkung des Widerstands werden während oder nach der Abscheidung Dotierstoffe eingebracht.

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