Nederlands
Menu

Laagafzetting (CVD, PVD)

Welke uitspraak over ALD (atomic layer deposition) is juist?

  1. AIn één bewerking kan snel een laag van enkele µm worden afgezet
  2. BDoor zelfbeperkende oppervlaktereacties van precursors te herhalen kan de laagdikte op atomair niveau worden geregeld
  3. CHet is een druktechniek waarvoor geen vacuüm nodig is
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Door zelfbeperkende oppervlaktereacties van precursors te herhalen kan de laagdikte op atomair niveau worden geregeld

Bij ALD wordt een cyclus herhaald waarin een brongas (precursor) wordt toegevoerd dat slechts één laag aan het oppervlak adsorbeert, overtollig gas door purge wordt verwijderd en vervolgens een reactiegas wordt toegevoerd dat reageert. Zodra de reactieve plaatsen op het oppervlak bezet zijn, stopt de reactie (zelfbeperkend), zodat de laagdikte met circa 0,1 nm per cyclus nauwkeurig kan worden geregeld en ook in diepe sleuven met een aspectverhouding van tientallen gelijkmatig kan worden afgezet. Daar staat tegenover dat de depositiesnelheid laag is.

Eén cyclus van ALD (atomic layer deposition) Precursor A toevoeren Zelflimiterend aan het oppervlak Purge Overtollig A afvoeren Precursor B toevoeren Reageert met A tot één laag Purge Bijproducten afvoeren Herhalen Ongeveer 0,1 nm per cyclus. Met het aantal cycli is de laagdikte op atoomlaagniveau te regelen
Eén cyclus van ALD (atomic layer deposition) · Bekijken in het figurenoverzicht
Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Laagafzetting (CVD, PVD)

  1. Wat is het belangrijkste voordeel van plasma-CVD (PECVD)?
  2. Welke uitspraak over stapdekking (step coverage) bij depositie is juist?
  3. Welke depositiemethode wordt vooral gebruikt om de sleuven van Cu-bedrading op te vullen?
  4. Welke uitspraak over lagedruk-CVD (LPCVD) is juist?
  5. Welk brongas wordt gewoonlijk gebruikt bij het afzetten van een polysiliciumlaag met LPCVD?

Vergelijkingen bij dit onderwerp