박막 증착(CVD와 PVD)

ALD(원자층 증착)의 특징으로 올바른 것은?

  1. A1회 공정으로 수 µm의 막을 고속으로 증착할 수 있다
  2. B전구체의 자기 제한적 표면 반응을 반복하여 원자층 수준으로 막 두께를 제어할 수 있다
  3. C진공이 필요 없는 인쇄 기술이다
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정답: B. 전구체의 자기 제한적 표면 반응을 반복하여 원자층 수준으로 막 두께를 제어할 수 있다

ALD에서는 원료 가스(전구체)를 공급하여 표면에 1층만큼만 흡착시키고, 남은 가스를 퍼지로 제거한 뒤 반응 가스를 공급해 반응시키는 사이클을 반복합니다. 표면의 반응 가능한 자리가 모두 채워지면 반응이 멈추기(자기 제한적) 때문에 1사이클당 약 0.1 nm씩 막 두께를 정밀하게 제어할 수 있고, 종횡비가 수십인 깊은 트렌치 안에도 균일하게 성막할 수 있습니다. 대신 성막 속도는 느립니다.

ALD(원자층 증착)의 1사이클 원료 A 공급 표면에서 자기 제한 퍼지 남은 A 배기 원료 B 공급 A와 반응해 1층 형성 퍼지 부산물 배기 반복 1사이클에 약 0.1 nm. 횟수로 막 두께를 원자층 단위로 제어할 수 있음
ALD(원자층 증착)의 1사이클 · 도해에서 보기
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