Schichtabscheidung (CVD, PVD)
Welche Aussage zu den Merkmalen der ALD (Atomlagenabscheidung) ist richtig?
- AIn einem Durchgang lassen sich Schichten von mehreren µm schnell abscheiden
- BDurch Wiederholung selbstbegrenzender Oberflächenreaktionen von Präkursoren lässt sich die Schichtdicke auf Atomlagenebene steuern
- CEs ist ein Druckverfahren, das kein Vakuum benötigt
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Antwort: B. Durch Wiederholung selbstbegrenzender Oberflächenreaktionen von Präkursoren lässt sich die Schichtdicke auf Atomlagenebene steuern
Bei der ALD wird ein Zyklus wiederholt: Das Prozessgas (Präkursor) wird zugeführt und adsorbiert nur eine Lage an der Oberfläche; überschüssiges Gas wird durch Spülen entfernt, danach wird das Reaktionsgas zugeführt und reagiert. Sind die reaktiven Stellen der Oberfläche belegt, endet die Reaktion (selbstbegrenzend); daher lässt sich die Schichtdicke mit etwa 0,1 nm pro Zyklus präzise steuern, und auch in tiefen Gräben mit Aspektverhältnissen von einigen zehn wird gleichmäßig abgeschieden. Dafür ist die Abscheiderate niedrig.