CMP und Reinigung
Welche Aussage zum CMP (chemisch-mechanisches Polieren) ist richtig?
- ADie chemische Wirkung des Slurrys und das mechanische Polieren durch das Pad werden kombiniert, um die Oberfläche zu planarisieren
- BDie Oberfläche wird durch Ionen im Plasma abgetragen und so planarisiert
- CDie Oberfläche wird bei hoher Temperatur aufgeschmolzen und so planarisiert
Antwort und Erläuterung anzeigen
Antwort: A. Die chemische Wirkung des Slurrys und das mechanische Polieren durch das Pad werden kombiniert, um die Oberfläche zu planarisieren
Beim CMP wird der Wafer unter Zufuhr eines Slurrys, der Schleifpartikel und Chemikalien enthält, gegen ein rotierendes Polierpad gedrückt. Die chemische Reaktion wandelt die Oberfläche in eine weiche Schicht um, die von Partikeln und Pad mechanisch abgetragen wird; dadurch lassen sich Abtragsrate und Planarität erreichen, die rein chemisch oder rein mechanisch nicht möglich wären. Das in den 1980er-Jahren bei IBM entwickelte Verfahren kann Stufen von einigen zehn nm über den gesamten Wafer einebnen und ist für Mehrlagenverdrahtung und Kupferverdrahtung unverzichtbar.