Welche Wirkung erwartet man, wenn die gerichtete Selbstassemblierung (DSA) mit der EUV-Lithografie kombiniert wird?

Antwort: C. Mit EUV-Strukturen als Führung wird das Muster auf eine regelmäßige Periode gebracht, was die durch stochastische Effekte verursachte Streuung von Linienbreite und Rauheit verringert

Bei der EUV-Lithografie werden pro Belichtung nur wenige Photonen eingesetzt, sodass stochastische Effekte (Stochastik) Schwankungen der Linienbreite und Rauheit der Linienkanten verursachen. Bei der gerichteten Selbstassemblierung (DSA) ist die Periode des Blockcopolymer-Musters durch das Material festgelegt, daher erwartet man, dass eine Selbstassemblierung auf EUV-erzeugten Führungsstrukturen diese Schwankungen glättet. imec, Intel und andere berichten seit Anfang der 2020er-Jahre über Ergebnisse, doch die Defekte auf ein extrem niedriges Niveau zu senken, ist die Hürde für die Serienfertigung.