Lithografie

Welk effect wordt verwacht wanneer gerichte zelfassemblage (DSA) wordt gecombineerd met EUV-belichting?

  1. AEUV-maskers worden overbodig
  2. BDe gevoeligheid van de resist stijgt zodat het vermogen van de EUV-lichtbron niet meer nodig is
  3. CMet EUV gemaakte patronen dienen als geleiding en het patroon wordt in een regelmatige periode gebracht, wat de variatie in lijnbreedte en ruwheid door stochastische effecten verkleint
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Met EUV gemaakte patronen dienen als geleiding en het patroon wordt in een regelmatige periode gebracht, wat de variatie in lijnbreedte en ruwheid door stochastische effecten verkleint

Bij EUV-belichting worden per belichting weinig fotonen gebruikt, zodat stochastische effecten variatie in de lijnbreedte en in de ruwheid van de lijnranden veroorzaken. Bij gerichte zelfassemblage (DSA) ligt de periode van het patroon van het blokcopolymeer vast door het materiaal, dus verwacht men dat zelfassemblage op met EUV gemaakte geleidingspatronen die variatie kan gladstrijken. imec, Intel en anderen melden sinds het begin van de jaren 2020 resultaten, maar het terugbrengen van defecten tot extreem lage niveaus is de uitdaging voor massaproductie.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Verwante rekentools

Meer vragen over Lithografie

  1. Welke methode verbetert, uitgaande van de resolutieformule R = k1 × λ / NA, de resolutie (maakt R kleiner)?
  2. Welke golflengte heeft het licht dat bij EUV-belichting wordt gebruikt?
  3. Welke omschrijving van positieve fotoresist is juist?
  4. Welke omschrijving van ArF-immersiebelichting is juist?
  5. Welke omschrijving van double patterning (multipatterning) is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp