Schichtabscheidung (CVD, PVD)

Welche Aussage zu den Anwendungen von Siliziumnitrid (Si3N4) ist richtig?

  1. AHauptmaterial für Gate-Elektroden und Leitbahnen
  2. BOxidationsmaske bei LOCOS, Stopper beim CMP und Schutzschicht (Passivierung) der Oberfläche
  3. CErsatz für Fotolack
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Antwort: B. Oxidationsmaske bei LOCOS, Stopper beim CMP und Schutzschicht (Passivierung) der Oberfläche

Siliziumnitrid lässt Sauerstoff, Feuchtigkeit und Ionen wie Natrium kaum durch, ist hart und erlaubt eine gute Ätzselektivität gegenüber Oxid. Es dient als Maske der selektiven Oxidation (LOCOS), als CMP-Stopper bei der STI-Bildung, als Passivierungsschicht zum Schutz der Chipoberfläche, als Ätzstopper und Hartmaske, als Gate-Seitenwandabstandshalter und zum Schutz selbstjustierter Kontakte. Die relative Permittivität beträgt etwa 7, weshalb es zwischen Leitbahnen kaum verwendet wird.

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