CMP und Reinigung

Welcher Grundaufbau einer CMP-Anlage ist richtig?

  1. ADer Wafer wird im Vakuum mit einem Ionenstrahl abgetragen
  2. BDer Wafer wird lediglich in Chemikalien getaucht und aufgelöst
  3. CDer im Polierkopf gehaltene Wafer wird auf ein auf einen rotierenden Teller geklebtes Polierpad gedrückt und unter Zufuhr von Slurry poliert
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Antwort: C. Der im Polierkopf gehaltene Wafer wird auf ein auf einen rotierenden Teller geklebtes Polierpad gedrückt und unter Zufuhr von Slurry poliert

In einer CMP-Anlage rotiert ein Teller (Platen) mit etwa 70 bis 80 cm Durchmesser, auf den ein Polierpad geklebt ist; der im Polierkopf gehaltene Wafer wird mit der Vorderseite nach unten angedrückt, und auch der Kopf rotiert. Unter Zufuhr von Slurry wird die Oberfläche durch Kombination chemischer Wirkung und mechanischen Polierens abgetragen, und die Padoberfläche wird mit einem Conditioner aufbereitet. Eine Anlage verfügt über mehrere Teller sowie Reinigungs- und Trocknungsmodule und führt Schritte vom stufenweisen Polieren bis zur Entnahme trockener Wafer kontinuierlich aus.

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