CMP und Reinigung
Was ist der Hauptgrund, warum bei Mehrlagenverdrahtung u. Ä. die Waferoberfläche durch CMP planarisiert werden muss?
- AUm die Oberfläche zum Glänzen zu bringen und das Aussehen zu verbessern
- BWeil verbleibende Unebenheiten dazu führen, dass bei der nächsten Belichtung Bereiche nicht scharf abgebildet werden und die Strukturierung der Filme schwierig wird
- CUm den Wafer schwerer zu machen
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Antwort: B. Weil verbleibende Unebenheiten dazu führen, dass bei der nächsten Belichtung Bereiche nicht scharf abgebildet werden und die Strukturierung der Filme schwierig wird
Mit jeder weiteren Lage entstehen Unebenheiten auf der Oberfläche, und da die Schärfentiefe bei fortgeschrittener Belichtung nur etwa 100 nm beträgt, lassen sich bei größeren Stufen Strukturen nicht mehr exakt abbilden. Außerdem werden Filme an Stufen bei der Abscheidung dünner, und beim Ätzen bleiben Reste stehen. Durch die Planarisierung mit CMP wurde es möglich, mehr als 10 Verdrahtungslagen zu stapeln, wodurch Verdrahtungsdichte und Leistungsfähigkeit stark stiegen.