什麼是FN 穿隧電流(富勒-諾德海姆)

施加強電場時，電子藉由穿隧效應穿過薄絕緣膜的三角形位障而流動的電流。用於 NAND 快閃記憶體的寫入與抹除。

日文名稱: FNトンネル電流(ファウラー・ノルドハイム)

「FN 穿隧電流(富勒-諾德海姆)」出現在1領域的1道練習題中（SRAM與快閃記憶體等）。

這個名詞所屬的領域: SRAM與快閃記憶體

練習FN 穿隧電流(富勒-諾德海姆)的題目

NAND 型快閃記憶體寫入（程式化）時，主要使用的電子注入方式為何？

  1. AFN（富爾-諾德海姆）穿隧電流
  2. B以光激發電子
  3. C以磁場移動電子
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正確答案：A. FN（富爾-諾德海姆）穿隧電流

NAND 對控制閘極施加約 20 V 的高電壓，使電子穿過薄的穿隧氧化膜，從通道注入電荷儲存層。這種量子力學的穿隧電流就是 FN 穿隧電流。由於每個單元的電流極小，可同時寫入一頁數萬個單元。NOR 型也常使用通道熱電子注入，即對汲極施加電壓加速電子後注入，速度快，但電流較大。

解析中的「FN 穿隧電流(富勒-諾德海姆)」

出現「FN 穿隧電流(富勒-諾德海姆)」的題目（1題）

  1. NAND 型快閃記憶體寫入（程式化）時，主要使用的電子注入方式為何？

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