電荷トラップ型セル란?
でんかとらっぷがたせる
フローティングゲートの代わりに、シリコン窒化膜などの絶縁膜の中のトラップに電子を蓄えるフラッシュメモリのセル。3D NANDで主に使われる。
일본어 명칭: 電荷トラップ型セル
분야: SRAM과 플래시 메모리
관련 용어
3D NAND 6T SRAMセル 不揮発性メモリ 書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション) FNトンネル電流(ファウラー・ノルドハイム) NAND型フラッシュメモリ NOR型フラッシュメモリ NVMe SLC(シングルレベルセル) TLC(トリプルレベルセル)