什麼是累增崩潰

在逆向強電場中被加速的載子撞擊原子而產生新的載子，這些載子連鎖增加而使大電流流動的現象。

日文名稱: なだれ降伏

「累增崩潰」出現在1領域的1道練習題中（雙載子電晶體等）。

這個名詞所屬的領域: PN接面與二極體

練習累增崩潰的題目

基極開路時的集極-射極間崩潰電壓BVCEO，與射極開路時的集極-基極間崩潰電壓BVCBO的關係，下列何者正確？

  1. ABVCEO與BVCBO永遠相等
  2. BBVCEO低於BVCBO
  3. CBVCEO高於BVCBO
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正確答案：B. BVCEO低於BVCBO

基極開路時，集極接面累增崩潰所產生的電洞會累積在基極，發揮與基極電流相同的作用，並被電晶體的放大作用放大。因此只要倍增係數M達到 1 + 1/hFE 左右，電流就會急遽增加，BVCEO ≈ BVCBO/hFE^(1/n)（n約為3〜6），有時只有BVCBO的幾分之一。電路設計時，以較低的BVCEO作為耐壓的參考，並保留餘裕來使用。

解析中的「累增崩潰」

出現「累增崩潰」的題目（1題）

  1. 基極開路時的集極-射極間崩潰電壓BVCEO，與射極開路時的集極-基極間崩潰電壓BVCBO的關係，下列何者正確？

相關名詞

電流增益(hFE) 內建電位 空乏層 穿隧二極體(江崎二極體) 逆向恢復時間 接面電容(空乏層電容) 理想因子 順向偏壓 導電度調變 歐姆接觸

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