반도체 물리
실온에서 게르마늄(Ge)의 밴드갭에 가장 가까운 값은?
- A약 0.66 eV
- B약 1.42 eV
- C약 1.12 eV
정답과 해설 보기
정답: A. 약 0.66 eV
게르마늄의 밴드갭은 실온에서 약 0.66 eV로 실리콘의 약 1.12 eV보다 작으며, 빛의 흡수단은 약 1.9 µm입니다. 이 성질 때문에 광통신 파장(1.3~1.55 µm)의 수광 소자에 사용됩니다. 최초의 트랜지스터(1947년)는 Ge였지만, 밴드갭이 작아 누설 전류가 늘어나기 쉽고 양질의 산화막을 만들 수 없다는 점 때문에 실리콘에 주역을 내주었습니다. 현재는 높은 이동도를 살려 SiGe의 형태로 사용되고 있습니다.
- A. 올바릅니다. Ge는 실리콘보다 밴드갭이 작은 반도체입니다.
- B. 약 1.42 eV는 GaAs(갈륨비소)의 값입니다.
- C. 약 1.12 eV는 실리콘의 값입니다.