氧化與擴散
以合成氣體退火用氫終端的Si/SiO2界面懸鍵，在電晶體長期使用的過程中，有時會再度成為界面能態。其主要原因，以及作為對策經過研究並在部分製程中使用的方法，兩者的組合下列何者正確？
- A氧化膜中的氫會隨時間氧化矽。應提高退火溫度使氧化膜變厚
- B熱載子等的能量使Si-H鍵斷裂。改用氘（重氫）取代氫進行退火
- C界面能態在低溫下會自然增加。應讓晶片一直保持高溫使用
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正確答案：B. 熱載子等的能量使Si-H鍵斷裂。改用氘（重氫）取代氫進行退火
合成氣體退火中，氫與矽的懸鍵結合（Si-H）而減少界面能態。但當在通道中被加速的高能量載子（熱載子）撞擊界面，或在高溫下持續施加電壓（如pMOS的NBTI）時，Si-H鍵會斷裂，界面能態再度產生，使臨界電壓逐漸偏移。以比氫更重的同位素氘（重氫）終端的Si-D鍵，已知較不易被熱載子打斷，因此在氘氣氛中退火的方法已被研究，並用於部分製程。
- A. 氫並不會推進界面的氧化，加厚氧化膜也無法解決Si-H鍵斷裂的問題。
- B. 正確。已知Si-D鍵比Si-H鍵更不易斷裂。
- C. 界面能態不會因降溫而增加，高溫反而會加速劣化。