酸化・拡散

熱酸化の際に、酸化によって生じた過剰な格子間シリコンがシリコン中に注入されて成長する欠陥はどれか。

  1. ACOP
  2. B酸化誘起積層欠陥(OSF)
  3. Cヒロック
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正解：B. 酸化誘起積層欠陥(OSF)

シリコンが酸化されるとき、すべてのシリコン原子が酸化膜に取り込まれるわけではなく、一部が格子間シリコンとして基板中に放出されます。これが集まって積層欠陥として成長したものが酸化誘起積層欠陥(OSF)で、リーク電流の原因になります。

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