열산화 시 산화로 생긴 과잉 격자간 실리콘이 실리콘 내로 주입되어 성장하는 결함은?

정답: B. 산화 유기 적층 결함(OSF)

실리콘이 산화될 때 모든 실리콘 원자가 산화막에 편입되는 것은 아니며, 일부(약 1000개에 1개)가 격자간 실리콘으로서 기판 속에 방출됩니다. 이것이 금속 오염이나 산소 석출물 등을 핵으로 모여 {111}면의 적층 결함으로 성장한 것이 산화 유기 적층 결함(OSF)이며, 접합을 가로지르면 누설 전류의 원인이 됩니다. 염소 산화나 웨이퍼의 결정 품질 개선으로 줄일 수 있습니다.