氧化與擴散
為了減少 Si/SiO2 介面的介面態,而在含氫氣氛中進行的熱處理稱為什麼?
- A氧電漿處理
- B形成氣體退火
- C濺鍍
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正確答案:B. 形成氣體退火
Si/SiO2 介面因斷鍵的矽原子(懸浮鍵)而殘留約 10¹¹~10¹² cm⁻²eV⁻¹ 的介面態。在氫氣與氮氣的混合氣體(形成氣體,氫含量數 %)中以約 400~450 ℃ 熱處理,氫會與懸浮鍵結合,將介面態降至約 10¹⁰ cm⁻²eV⁻¹,使臨界電壓穩定,並改善次臨界特性與載子遷移率。這是常在配線製程最後進行的處理。